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Rohm Semiconductors News

ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

La prima serie della nuova famiglia EcoGaN contribuisce a ridurre i consumi e ottenere una miniaturizzazione maggiore in CED e Base station.

ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

I dispositivi GaN HEMT da 150 V della serie GNE10xxTB (GNE1040TB) di ROHMs portano la tensione di tenuta di gate (tensione gate-source nominale) fino a 8 V, un valore leader nel settore che li rende ideali per l'applicazione in circuiti di alimentatori per apparecchiature industriali come centri di elaborazione dati e Base station e dispositivi IoT.


ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

Negli ultimi anni la maggiore diffusione di dispositivi IoT ha determinato un aumento della domanda di server; di conseguenza il miglioramento dell’efficienza della conversione di potenza e la riduzione delle dimensioni sono divenute questioni sociali pregnanti che richiedono un ulteriore progresso nel settore dei dispositivi di potenza.

Poiché i dispositivi GaN generalmente presentano caratteristiche di commutazione migliori e una resistenza di ON inferiore rispetto a quelli in silicio, si prevede che contribuiscano alla riduzione dei consumi energetici di diversi alimentatori e alla maggiore miniaturizzazione di componenti periferici.

Alla produzione di massa di dispositivi SiC leader nel settore e ai dispositivi in silicio dalle numerose funzionalità, ora ROHM affianca anche lo sviluppo di dispositivi GaN dall’eccellente funzionamento ad alta frequenza in una gamma di media tensione, consentendoci di fornire soluzioni di potenza a una più ampia gamma di applicazioni.

Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V. Di conseguenza si evita il deterioramento, anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione, contribuendo ad un miglior margine di design e a una più elevata affidabilità nei circuiti di alimentatori. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package altamente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un'ampia capacità di corrente, facilitando la gestione in fase di montaggio.

ROHM ha immesso sul mercato dispositivi GaN che contribuiscono a una maggiore conservazione dell'energia e miniaturizzazione sotto il marchio EcoGaN™ e sta lavorando all'ampliamento della gamma con dispositivi in grado di migliorare le prestazioni. In futuro ROHM continuerà a sviluppare circuiti integrati di controllo che sfruttano tecnologia di alimentazione analogica come Nano Pulse Control™ e moduli che integrano questi circuiti, insieme a soluzioni di potenza che contribuiscono a una società sostenibile massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.

Professor Masayoshi Yamamoto, Graduate School of Engineering, Università di Nagoya
Quest'anno il Ministero dell'Economia, del Commercio e dell'Industria (METI) del Giappone ha stabilito un obiettivo del 30% in termini di risparmio energetico per i centri di elaborazione dati di nuova realizzazione da qui al 2030 – meno di 10 anni a partire da ora. Tuttavia le prestazioni del sistema devono non solo essere efficienti dal punto di vista energetico, ma anche robuste e stabili in quanto sono diventate una componente essenziale della nostra infrastruttura sociale.

Per rispondere a queste esigenze, ROHM ha sviluppato un nuovo dispositivo GaN che offre una tensione di tenuta di gate di 8 V, la più alta del settore, fornendo un elevato livello di robustezza e stabilità e ottenendo nel contempo un risparmio energetico superiore. A partire da questi prodotti, ROHM continuerà a migliorare l'efficienza energetica nelle fonti di alimentazione in abbinamento con l'esclusiva tecnologia di alimentazione analogica Nano Pulse Control™, creando un importante trend tecnologico che aiuterà i settori dei semiconduttori e delle telecomunicazioni a raggiungere la neutralità al carbonio entro il 2040.


ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V


ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

Cos'è EcoGaN™?
La denominazione EcoGaN™ indica dispositivi GaN che contribuiscono alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione massimizzando le caratteristiche di bassa resistenza di ON e commutazione ad alta frequenza tipica dei dispositivi GaN, con l'obiettivo di ridurre i consumi, miniaturizzare i componenti periferici e semplificare sia il progetto che il numero di componenti necessari.

*EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd.

Esempi applicativi

ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

  • Circuiti per convertitori buck con tensione di ingresso di 48 V per Base station e centri di elaborazione dati
  • Circuiti per convertitori boost per il blocco dell’amplificatore di potenza delle Base station
  • Circuiti di pilotaggio LiDAR, circuiti di ricarica wireless per dispositivi portatili
  • Amplificatori audio di Classe D

Esempi di circuiti

ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V


ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

Line-up prodotti

ROHM avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di gate di 8 V

www.rohm.com

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